手机速度爆表UFS0正式发布29GBs

1月 1日上午消息，固态技术协会（JEDEC）发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI，通用闪存存储) v .0标准（JESD220D、JESD22 D），和UFS存储卡v1.1标准（JESDA）。

简单来说，UFS .0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G （UFS 2.1）性能的2倍。

由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高2 .2Gbps，也就是2.9GB/s。

互联层设计方面，严格遵守MIPI（(移动产业处理器接口）的规范协议，其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1，传输层根据MIPI UniProSM v1.8。

其它方面，UFS .0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升，电压2.5V，支持最新的NANG Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。

至于UFSHCI v .0规范这面向主控厂商参考，用于简化通行设计。

至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/ 的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。

另外，三星已宣布，将在2018年第一季首发推出UFS .0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS .0接口，所以是不是对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。

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